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英特尔加速制程工艺和封装技术创新

发布日期:2021-07-27

英特尔 加速制程工艺和封装手艺创新--科技音讯--华夏经济音讯网2021年7月27日, 英特尔 CEO帕特·基辛格在“ 英特尔 加速创新:制程工艺和封装手艺线上发布会”上发表演讲。在这次线上发布会中, 英特尔 提出了异日制程工艺和封装手艺路线图。「图片来由: 英特尔 」· 英特尔 制程工艺和封装手艺创新路线图,为从此刻到2025年乃至更远异日的下一波产物注入动力。

· 两项突破性制程手艺: 英特尔 近十多年来推出的首个 全新 晶体管架构RibbonFET,以及业界首个后面电能传输网络PowerVia。

· 仰仗 Foveros Omni 和 Foveros Direct手艺,无间在先进 3D 封装立异方面维持领先地位。

· 随着 英特尔 进入半导体埃米时代,更新的节点定名体例将设立齐截的框架,来辅助客户和 行业 对制程节点演进成立更确切的认知。

· 英特尔 代工 服务 「IFS」势头强劲,并初次颁布合营客户名单。

2021 年 7 月 27日, 英特尔 公司此日发表了公司有史以来最详尽的制程工艺和封装手艺路线图,展示了一系列底层手艺立异,这些立异手艺将不竭驱动从现在到2025年甚至更远未来畴昔的新产品开发。除了发表其近十多年来首个 全新 晶体管架构 RibbonFET 和业界首个 全新 的后背电能传输网络PowerVia之外, 英特尔 还焦点介绍了麻利选拔下一代极紫外光刻「EUV」手艺的计划,即高数值孔径「High-NA」EUV。 英特尔 有望率先获取业界第一台High-NA EUV光刻机。

英特尔 公司CEO帕特·基辛格在以“ 英特尔 加速创新”为大旨的举世线上发布会中表示:“基于 英特尔 在先进封装规模毋庸置疑的抢先性,我们正在加快制程工艺创新的路线图,以保证到 2025 年制程本能机能再度抢先业界。 英特尔 正诈欺我们无可比拟的一连创新的动力,实现从晶体管到体例层面的周至手艺进步。在穷尽元素周期表之前,我们将百折不回地追寻摩尔定律的脚步,并一连诈欺硅的神奇气力不息促成创新。”业界早就意识到,从1997年开端,基于纳米的古板制程节点定名方法,不再与晶体管实际的栅极长度相对应。现在, 英特尔 为其制程节点引入了 全新 的定名编制,树立了一个明了、整齐的框架,协助客户对满堂 行业 的制程节点演进创办一个更确凿的认知。跟着 英特尔 代工供职「IFS」的推出,让客户明了领略处境比以往任何时刻都显得更加重要。基辛格说:“今日发布的创新手艺不光有助于 英特尔 谋划产物路线图,同时对我们的代工供职客户也至关重要。业界对 英特尔 代工供职「IFS」有强烈的滑稽,今日我很欢快我们宣告了初度 合作 的两位重要客户。 英特尔 代工供职已扬帆起航!” 英特尔 手艺人人胪陈了以下路线图,其中包括新的节点定名和实现每个制程节点的创新手艺:1. 基于 FinFET 晶体管优化,Intel 7与 Intel 10nm SuperFin 相比,每瓦本能机能将提升约10%-15%。2021年即将推出的Alder Lake客户端产物将会拔取Intel 7 工艺,之后是面向数据中心的 Sapphire Rapids预计将于 2022 年第一季度投产。

2. Intel 4全部拔取 EUV 光刻手艺,可使用超短波长的光,刻印极微小的图样。依赖每瓦性能约 20% 的升迁以及芯片面积的鼎新,Intel 4 将在 2022 年下半年投产,并于 2023 年出货,这些产品包括面向客户端的 Meteor Lake 和面向数据中心的 Granite Rapids。

3. Intel 3仰仗FinFET 的进一步优化和在更多工序中补充对EUV应用,较之Intel 4将在每瓦本能机能上兑现约18%的升迁,在芯片面积上也会有额外改进。 Intel 3将于2023年下半年开头用于相干产物出产。

4. Intel 20A将依附RibbonFET和PowerVia两大突破性技术开启埃米时代。RibbonFET 是 英特尔 对Gate All Around晶体管的实现,它将成为公司自 2011 年率先推出 FinFET 以来的首个 全新 晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速率,同时实现与多鳍构造不异的驱动电流,但占用的空间更小。PowerVia 是 英特尔 独有的、业界首个后背电能传输网络,经由过程消除晶圆正面供电布线需求来优化灯号传输。Intel 20A 预计将在 2024 年推出。 英特尔 也很愉快能在Intel 20A 制程工艺技术上,与高通公司进行互助。

5. 2025 年及更远的异日:从Intel 20A更进一步的Intel 18A节点也已在研发中,将于2025年初推出,它将对RibbonFET进行更始,在晶体管本能机能上兑现又一次重大奔驰。 英特尔 还致力于界说、构建和布置下一代High-NA EUV,有望率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。 英特尔 正与 ASML 密切 合作 ,保证这一 行业 突破性技艺取得成功,超过此刻一代 EUV。

英特尔 高等副总裁兼手艺开发总经理Ann Kelleher博士表示:“ 英特尔 有着悠久的制程工艺基础性创新的史乘,这些创新均驱动了 行业 的奔驰。我们引领了从九十纳米应变硅向45纳米高K金属栅极的过渡,并在二十二纳米时率先引入FinFET。依靠RibbonFET 和 PowerVia两大开创性手艺,Intel 20A 将成为制程手艺的另一个分水岭。” 英特尔 高等副总裁兼手艺开发总经理Ann Kelleher博士随着 英特尔 全新 IDM 2.0战略的实行,封装对待实现摩尔定律的所长变得特别加倍主要。 英特尔 发表,AWS 将成为首个使用 英特尔 代工供职「IFS」封装解决方案的客户。 英特尔 对领先 行业 的先进封装路线图提出:1. EMIB动作首个 2.5D 嵌入式桥接解决方案将无间引领 行业 英特尔 自2017年今后无间在出货EMIB产物。Sapphire Rapids 将成为拔取EMIB「嵌入式多芯片互连桥接」批量出货的首个 英特尔 ®至强®数据中心产物。它也将是业界首个供给几乎与单片设计不异职能的,但整合了两个光罩尺寸的器件。继Sapphire Rapids之后,下一代 EMIB的凸点间距将从 55微米缩短至 45微米。

2. Foveros诈欺晶圆级封装本领,提供史上首个 3D 堆叠解决方案。Meteor Lake是在客户端产品中实现Foveros技艺的第二代放置。该产品具有 36微米的凸点间距,分歧晶片可基于多个制程节点,热设计功率界限为 5-125W。

3. Foveros Omni创始了下一代Foveros手艺,经过议定高性能3D堆叠手艺为裸片到裸片的互连和模块化设计供应了无限定的灵活性。Foveros Omni允许裸片分化,将基于不同晶圆制程节点的多个顶片与多个基片羼杂搭配,预计将于2023年用到量产的产物中。

4. Foveros Direct兑现了向直接铜对铜键合的转变,它可能兑现低电阻互连,并使得从晶圆制成到封装开头,两者之间的界限不再那么截然。Foveros Direct 兑现了一十微米以下的凸点间距,使3D堆叠的互连密度抬高了一个数量级,为功能性裸片分区提出了新的观念,这在过去是无法兑现的。Foveros Direct 是对 Foveros Omni 的添加,预计也将于 2023年用到量产的产物中。

今天讨论的突破性技艺首要在 英特尔 俄勒冈州和亚利桑那州的工厂开辟,这巩固了 英特尔 作为美国独一一家同时拥有芯片研发和创制才能的领先企业的职位。另外,这些创新还得益于与美国和欧洲相助伙伴生态系统的严密精相助。深入的相助关连是将基础性创新从实验室研发投入到量产创制的关头, 英特尔 致力于与各地当局相助,强化供应链,并推动经济和国家安好。

线上发布会快完结的时刻, 英特尔 颁布将举办“Intel Innovation”峰会并颁布更多联系细节。“Intel Innovation”峰会将于 2021 年 10 月 27 日至 28 日在旧金山线下和线上举行。

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